ULN2069B

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是意法半导体公司的ULN2069B的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）；电流-集电极（Ic）（最大值）：1.75A；电压-集射极击穿（最大值）：80V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.5V @ 2.25mA，1.5A；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）
电流-集电极（Ic）（最大值）：1.75A
电压-集射极击穿（最大值）：80V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.5V @ 2.25mA，1.5A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
功率-最大值：1W
频率-跃迁：-
安装类型：通孔
封装/外壳：16-PowerDIP（0.300，7.62mm）
供应商器件封装：16-PowerDIP（20x7.10）

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