STA457C

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是三垦的STA457C的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：散装；晶体管类型：2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥）；电流-集电极（Ic）（最大值）：4A；电压-集射极击穿（最大值）：60V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.5V @ 4mA，2A；

厂商：三垦
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
晶体管类型：2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥）
电流-集电极（Ic）（最大值）：4A
电压-集射极击穿（最大值）：60V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.5V @ 4mA，2A
电流-集电极截止（最大值）：100µA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：2000 @ 2A，4V
功率-最大值：4W
频率-跃迁：-
安装类型：通孔
封装/外壳：10-SIP
供应商器件封装：10-SIP

PDF 下载