MAT03EH

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是亚德诺半导体的MAT03EH的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：2 PNP（双）；电流-集电极（Ic）（最大值）：20mA；电压-集射极击穿（最大值）：36V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：100mV @ 100µA，1mA；

厂商：亚德诺半导体
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：2 PNP（双）
电流-集电极（Ic）（最大值）：20mA
电压-集射极击穿（最大值）：36V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：100mV @ 100µA，1mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
功率-最大值：500mW
频率-跃迁：190MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-78-6 金属罐
供应商器件封装：TO-78-6

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