SMUN5111DW1T1G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的SMUN5111DW1T1G的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：2 PNP（双）；电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA；电压-集射极击穿（最大值）：50V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：250mV @ 300nA，10mA；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：2 PNP（双）
电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：250mV @ 300nA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：35 @ 5mA，10V
功率-最大值：385mW
频率-跃迁：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

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