2N3838

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是美高森美商用元件集团有限公司的2N3838的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：散装；晶体管类型：NPN，PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：600mA；电压-集射极击穿（最大值）：40V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：400mV @ 15mA，150mA；

厂商：美高森美商用元件集团有限公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
晶体管类型：NPN，PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：600mA
电压-集射极击穿（最大值）：40V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：400mV @ 15mA，150mA
电流-集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 150mA，10V
功率-最大值：350mW
频率-跃迁：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-扁平封装
供应商器件封装：6 扁平封装

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