MP6Z13TR

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是罗姆半导体集团的MP6Z13TR的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：*；晶体管类型：NPN，PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：3A；电压-集射极击穿（最大值）：50V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：*
系列：-
晶体管类型：NPN，PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：3A
电压-集射极击穿（最大值）：50V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：180 @ 50mA，3V
功率-最大值：2W
频率-跃迁：320MHz，300MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：MPT6
供应商器件封装：MPT6

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