ZDT605TA

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的ZDT605TA的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：2 NPN 达林顿（双）；电流-集电极（Ic）（最大值）：1A；电压-集射极击穿（最大值）：120V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.5V @ 1mA，1A；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：2 NPN 达林顿（双）
电流-集电极（Ic）（最大值）：1A
电压-集射极击穿（最大值）：120V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.5V @ 1mA，1A
电流-集电极截止（最大值）：10µA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：2000 @ 1A，5V
功率-最大值：2.75W
频率-跃迁：150MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-223-8
供应商器件封装：SM8

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