L603C

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是意法半导体公司的L603C的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：8 NPN 达林顿；电流-集电极（Ic）（最大值）：400mA；电压-集射极击穿（最大值）：90V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：2V @ 500µA，300mA；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：8 NPN 达林顿
电流-集电极（Ic）（最大值）：400mA
电压-集射极击穿（最大值）：90V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：2V @ 500µA，300mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
功率-最大值：1.8W
频率-跃迁：-
安装类型：通孔
封装/外壳：-
供应商器件封装：18-DIP

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