CA3083MZ

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是英特矽尔半导体有限公司的CA3083MZ的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：管件可替代的包装；晶体管类型：5 NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA；电压-集射极击穿（最大值）：15V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：700mV @ 5mA，50mA；

厂商：英特矽尔半导体有限公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列/
主要规格参数:
包装：管件可替代的包装
系列：-
晶体管类型：5 NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：15V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：700mV @ 5mA，50mA
电流-集电极截止（最大值）：10µA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：40 @ 50mA，3V
功率-最大值：500mW
频率-跃迁：450MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：16-SOIC

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