EMD30T2R

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是罗姆半导体集团的EMD30T2R的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）；电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA，200mA；电压-集射极击穿（最大值）：50V，30V；电阻器-基底（R1）（欧姆）：10k，1k；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA，200mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V，30V
电阻器-基底（R1）（欧姆）：10k，1k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：10k
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：30 @ 5mA，5V / 140 @ 100mA，2V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 2.5mA，50mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：250MHz，260MHz
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：EMT6

PDF 下载