PBLS6004D,115

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是恩智浦半导体公司的PBLS6004D,115的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA，700mA；电压-集射极击穿（最大值）：50V，60V；电阻器-基底（R1）（欧姆）：22k；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA，700mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V，60V
电阻器-基底（R1）（欧姆）：22k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：22k
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：60 @ 5mA，5V / 150 @ 500mA，5V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：150mV @ 500µA，10mA / 340mV @ 100mA，1A
电流-集电极截止（最大值）：1µA，100nA
频率-跃迁：185MHz
功率-最大值：600mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：6-TSOP

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