NP0G3D200A

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是松下电器公司电子元件-半导体产品事业部的NP0G3D200A的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）；电流-集电极（Ic）（最大值）：80mA；电压-集射极击穿（最大值）：50V；电阻器-基底（R1）（欧姆）：4.7k，22k；

厂商：松下电器公司电子元件-半导体产品事业部
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流-集电极（Ic）（最大值）：80mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底（R1）（欧姆）：4.7k，22k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：4.7k，47k
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：20 @ 5mA，10V / 80 @ 5mA，10V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：250mV @ 300µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：150MHz，80MHz
功率-最大值：125mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-963
供应商器件封装：SSS迷你型6-F1

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