中电网首页

产品索引  > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式  >  RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是东芝半导体的RN2703JE(TE85L,F)的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器);电流-集电极(Ic)(最大值):100mA;电压-集射极击穿(最大值):50V;电阻器-基底(R1)(欧姆):22k;


  • 厂商:东芝半导体
  • 类别: 分立半导体产品/晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器)
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
  • 电压-集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器-基底(R1)(欧姆):22k
  • 电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):22k
  • 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V
  • 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
  • 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 频率-跃迁:200MHz
  • 功率-最大值:100mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-553
  • 供应商器件封装:ESV
PDF 下 载
下载