EMA3T2R

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是罗姆半导体集团的EMA3T2R的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；晶体管类型：2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）；电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA；电压-集射极击穿（最大值）：50V；电阻器-基底（R1）（欧姆）：4.7k；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）
电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底（R1）（欧姆）：4.7k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 1mA，5V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：300mV @ 250µA，5mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）
频率-跃迁：250MHz
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-SMD（5引线），扁引线
供应商器件封装：EMT5

PDF 下载