PBLS2002S,115

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是恩智浦半导体公司的PBLS2002S,115的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA，3A；电压-集射极击穿（最大值）：50V，20V；电阻器-基底（R1）（欧姆）：4.7k；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA，3A
电压-集射极击穿（最大值）：50V，20V
电阻器-基底（R1）（欧姆）：4.7k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：4.7k
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
电流-集电极截止（最大值）：1µA，100nA
频率-跃迁：100MHz
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO

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