NSTB1002DXV5T1

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NSTB1002DXV5T1的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA，200mA；电压-集射极击穿（最大值）：50V，40V；电阻器-基底（R1）（欧姆）：47k；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA，200mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V，40V
电阻器-基底（R1）（欧姆）：47k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：47k
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 5mA，10V / 100 @ 1mA，10V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：250mV @ 300µA，10mA / 400mV @ 5mA，50mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：250MHz
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-553
供应商器件封装：SOT-553