NSB13211DW6T1G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NSB13211DW6T1G的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）；电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA；电压-集射极击穿（最大值）：50V；电阻器-基底（R1）（欧姆）：4.7k，10k；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底（R1）（欧姆）：4.7k，10k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：4.7k，10k
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：35 @ 5mA，10V / 15 @ 5mA，10V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：250mV @ 300µA，10mA / 250mV @ 1mA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：230mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

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