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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
DN3525N8-G DN3525N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
DN3525N8-G DN3525N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
DN3525N8-G DN3525N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
DN3145N8-G DN3145N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3
DN3145N8-G DN3145N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3
DN3145N8-G DN3145N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3
DN3535N8-G DN3535N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
DN3535N8-G DN3535N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
DN3535N8-G DN3535N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
DN2540N8-G DN2540N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3
DN2540N8-G DN2540N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3
DN2540N8-G DN2540N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
VN2106N3-G VN2106N3-G Microchip Technology MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
VN10KN3-G VN10KN3-G Microchip Technology MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
VP2106N3-G VP2106N3-G Microchip Technology MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
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