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产品索引  > 分立半导体产品 > JFET(结点场效应

厂商 包装系列FET类型电压-击穿(V(BR)GSS)漏源极电压(Vdss)不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)漏极电流(Id)-最大值不同Id时的电压-截止(VGS关)不同Vds时的输入电容(Ciss)电阻-RDS(开)安装类型封装/外壳供应商器件封装功率-最大值
PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
SST175-T1-E3 SST175-T1-E3 Vishay Dale MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3