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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
IXFN32N120P IXFN32N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
VMK165-007T VMK165-007T IXYS MOSFET 2N-CH 70V 165A TO-240AA
VMK90-02T2 VMK90-02T2 IXYS MOSFET 2N-CH 200V 83A TO-240AA
VMM85-02F VMM85-02F IXYS MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4
VKM40-06P1 VKM40-06P1 IXYS MOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2
VBH40-05B VBH40-05B IXYS MOSFET 4N-CH 500V 40A V2
VMO550-01F VMO550-01F IXYS MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
VMM650-01F VMM650-01F IXYS MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
VMO650-01F VMO650-01F IXYS MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
VMM90-09F VMM90-09F IXYS MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI
IXFN150N10 IXFN150N10 IXYS MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
VM0550-2F VM0550-2F IXYS MOSFET N-CH 100V 590A MODULE
GWM120-0075P3 GWM120-0075P3 IXYS MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
IXFN150N15 IXFN150N15 IXYS MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227
GWM160-0055P3 GWM160-0055P3 IXYS MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
GWM70-01P2 GWM70-01P2 IXYS MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
IXFN66N50Q2 IXFN66N50Q2 IXYS MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
IXUN280N10 IXUN280N10 IXYS MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B
VMM1000-01P VMM1000-01P IXYS MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI
VMM1500-0075P VMM1500-0075P IXYS MOSFET 2N-CH 75V 1500A Y3-LI
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