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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
IXFN280N07 IXFN280N07 IXYS MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B
IXFN40N90P IXFN40N90P IXYS MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
IXTN32P60P IXTN32P60P IXYS MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
IXTN90P20P IXTN90P20P IXYS MOSFET P-CH 200V 90A SOT227
IXFE50N50 IXFE50N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
GWM120-0075P3-SL GWM120-0075P3-SL IXYS MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
GWM220-004P3-SL GWM220-004P3-SL IXYS MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
GWM220-004P3-SMD GWM220-004P3-SMD IXYS MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
IXTN200N10T IXTN200N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
IXKN40N60C IXKN40N60C IXYS MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
IXFE44N60 IXFE44N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
IXFE55N50 IXFE55N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
IXFN32N100P IXFN32N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
GWM100-0085X1-SMD SAM GWM100-0085X1-SMD SAM IXYS MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS
IXFN73N30Q IXFN73N30Q IXYS MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
IXTN120N25 IXTN120N25 IXYS MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
IXFN20N120 IXFN20N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
IXFE24N100 IXFE24N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227
IXFN50N50 IXFN50N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
IXFN90N30 IXFN90N30 IXYS MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
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