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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
GWM120-0075P3-SMD SAM GWM120-0075P3-SMD SAM IXYS MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
GWM220-004P3-SL SAM GWM220-004P3-SL SAM IXYS MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
GWM220-004P3-SMD SAM GWM220-004P3-SMD SAM IXYS MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
IXFN120N25 IXFN120N25 IXYS MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B
IXFN25N90 IXFN25N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
IXFN64N50PD2 IXFN64N50PD2 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
IXFN44N60 IXFN44N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
IXFN44N100P IXFN44N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
IXFN27N80Q IXFN27N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
IXFN23N100 IXFN23N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
IXFN34N80 IXFN34N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 IXYS MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
IXFN24N90Q IXFN24N90Q IXYS MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B
IXFN170N30P IXFN170N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
IXFN300N10P IXFN300N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
IXFN32N60 IXFN32N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227
IXTN21N100 IXTN21N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
IXFE48N50QD2 IXFE48N50QD2 IXYS MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
IXFE48N50QD3 IXFE48N50QD3 IXYS MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
IXFN80N50Q3 IXFN80N50Q3 IXYS MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227
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