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厂商 包装系列晶体管类型电压-集射极击穿(最大值)频率增益频率-跃迁噪声系数(dB,不同f时的典型值)电压-测试额定电流功率-最大值噪声系数不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值)电流-测试功率-输出电流-集电极(Ic)(最大值)安装类型电压-额定封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
ATF-52189-TR2 ATF-52189-TR2 Avago Technologies US Inc. IC PHEMT 2GHZ 4.5V 200MA SOT-89
ATF-50189-TR2 ATF-50189-TR2 Avago Technologies US Inc. IC PHEMT 2GHZ 4.5V 280MA SOT-89
ATF-36077-TR1 ATF-36077-TR1 Avago Technologies US Inc. IC PHEMT 2-18GHZ ULT LN 77-SMD
NE3512S02-T1C-A NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3512S02-T1C-A NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3512S02-T1C-A NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3509M04-T2-A NE3509M04-T2-A CEL AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
NE3509M04-T2-A NE3509M04-T2-A CEL AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
NE3509M04-T2-A NE3509M04-T2-A CEL AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
NE3515S02-T1C-A NE3515S02-T1C-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
NE3515S02-T1C-A NE3515S02-T1C-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
NE3515S02-T1C-A NE3515S02-T1C-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
NE3520S03-A NE3520S03-A CEL FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03
NE3510M04-T2-A NE3510M04-T2-A CEL FET RF HFET 4GHZ 2V 15MA M04
NE3510M04-T2-A NE3510M04-T2-A CEL FET RF HFET 4GHZ 2V 15MA M04
NE3510M04-T2-A NE3510M04-T2-A CEL FET RF HFET 4GHZ 2V 15MA M04
NE3511S02-A NE3511S02-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE5550979A-A NE5550979A-A CEL IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG
NE3511S02-T1C-A NE3511S02-T1C-A CEL IC AMP RF LNA 13.5DB S02
NE3511S02-T1C-A NE3511S02-T1C-A CEL IC AMP RF LNA 13.5DB S02
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