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厂商 包装系列晶体管类型电压-集射极击穿(最大值)频率增益频率-跃迁噪声系数(dB,不同f时的典型值)电压-测试额定电流功率-最大值噪声系数不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值)电流-测试功率-输出电流-集电极(Ic)(最大值)安装类型电压-额定封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
NE3511S02-T1C-A NE3511S02-T1C-A CEL IC AMP RF LNA 13.5DB S02
NE5520379A-T1A-A NE5520379A-T1A-A CEL MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A
NE5520379A-T1A-A NE5520379A-T1A-A CEL MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A
NE3514S02-A NE3514S02-A CEL HJ-FET NCH 10DB S02
NE3508M04-A NE3508M04-A CEL AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM
NE3503M04-A NE3503M04-A CEL AMP HJ-FET 12GHZ M04
NE3512S02-A NE3512S02-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3512S02-T1C-A NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3512S02-T1C-A NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3512S02-T1C-A NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3509M04-T2-A NE3509M04-T2-A CEL AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
NE3509M04-T2-A NE3509M04-T2-A CEL AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
NE3509M04-T2-A NE3509M04-T2-A CEL AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
NE3515S02-T1C-A NE3515S02-T1C-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
NE3515S02-T1C-A NE3515S02-T1C-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
NE3515S02-T1C-A NE3515S02-T1C-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
NE3520S03-A NE3520S03-A CEL FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03
NE5550234-T1-AZ NE5550234-T1-AZ CEL IC FET LDMOS 30V 0.6A 3MINIMOLD
NE5550234-T1-AZ NE5550234-T1-AZ CEL IC FET LDMOS 30V 0.6A 3MINIMOLD
NE5550234-T1-AZ NE5550234-T1-AZ CEL IC FET LDMOS 30V 0.6A 3MINIMOLD
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