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厂商 包装系列晶体管类型电压-集射极击穿(最大值)频率增益频率-跃迁噪声系数(dB,不同f时的典型值)电压-测试额定电流功率-最大值噪声系数不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值)电流-测试功率-输出电流-集电极(Ic)(最大值)安装类型电压-额定封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
NE3508M04-T2-A NE3508M04-T2-A CEL AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM
NE3513M04-T2-A NE3513M04-T2-A CEL IC HJ-FET RF N-CH LNA M04 4SMD
NE3503M04-T2-A NE3503M04-T2-A CEL AMP HJ-FET 12GHZ M04
NE3521M04-T2-A NE3521M04-T2-A CEL IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
NE4210S01-T1B NE4210S01-T1B CEL HJ-FET 13DB S01
NE3514S02-T1C-A NE3514S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 10DB S02
NE3516S02-T1C-A NE3516S02-T1C-A CEL IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
NE3210S01-T1B NE3210S01-T1B CEL HJ-FET 13.5DB S01
NE3513M04-A NE3513M04-A CEL IC HJ-FET RF N-CH LNA M04 4SMD
NE3520S03-T1C-A NE3520S03-T1C-A CEL FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03
NE3517S03-T1C-A NE3517S03-T1C-A CEL DISCRETE RF FET
NE3521M04-A NE3521M04-A CEL IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
NE4210S01 NE4210S01 CEL HJ-FET 13DB S01
NE5550279A-T1-A NE5550279A-T1-A CEL IC FET LDMOS 30V 0.6A 79A-PKG
NE3516S02-A NE3516S02-A CEL IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
NE5550234-AZ NE5550234-AZ CEL IC FET LDMOS 30V 0.6A 3MINIMOLD
NE3210S01 NE3210S01 CEL HJ-FET 13.5DB S01
NE5550779A-T1-A NE5550779A-T1-A CEL IC FET LDMOS 30V 2.1A 79A-PKG
NE5550279A-A NE5550279A-A CEL IC FET LDMOS 30V 0.6A 79A-PKG
NE5550979A-T1-A NE5550979A-T1-A CEL IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG
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