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NTE4153NT1G

本文是安森美半导体公司的NTE4153NT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：ON Semiconductor

类别：测试测量 >电子测试和测量 >数字万用表 >MOSFET >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：915mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：230 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1.82nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：110pF @ 16V
功率-最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-89，SOT-490
供应商器件封装：SC-89-3

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