STB100N10F7特性,参数,购买_STB100N10F7元件说明书下载-中电网

中电网移动|移动中电网

数据中心
STB100N10F7特性,参数,购买_STB100N10F7元件说明书下载-中电网

产品索引 > 照明 > 普通照明 > 通用照明 > f_Mosfets_right > STB100N10F7

STB100N10F7

本文是意法半导体公司的STB100N10F7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：STMicroelectronics

类别：照明 >普通照明 >通用照明 >f_Mosfets_right >

主要规格参数:

包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：DeepGATE™，STripFET™ VII
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：80A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：8 毫欧 @ 40A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：61nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：4369pF @ 50V
功率-最大值：150W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

PDF查看下载