STB100NF04T4特性,参数,购买_STB100NF04T4元件说明书下载-中电网

中电网移动|移动中电网

数据中心
STB100NF04T4特性,参数,购买_STB100NF04T4元件说明书下载-中电网

产品索引 > 照明 > 普通照明 > 通用照明 > f_Mosfets_right > STB100NF04T4

STB100NF04T4

本文是意法半导体公司的STB100NF04T4的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：STMicroelectronics

类别：照明 >普通照明 >通用照明 >f_Mosfets_right >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）
系列：STripFET™ II
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：120A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4.6 毫欧 @ 50A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：150nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：5100pF @ 25V
功率-最大值：300W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

PDF查看下载