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NTLJS3113PTAG

本文是安森美半导体公司的NTLJS3113PTAG的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：ON Semiconductor

类别：照明 >普通照明 >背光 >battery >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.5A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：40 毫欧 @ 3A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：15.7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1329pF @ 16V
功率-最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-WDFN（2x2）

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