RJK5030DPD-00#J2特性,参数,购买_RJK5030DPD-00#J2元件说明书下载-中电网

中电网移动|移动中电网

数据中心
RJK5030DPD-00#J2特性,参数,购买_RJK5030DPD-00#J2元件说明书下载-中电网

产品索引 > 照明 > LED照明 > 标牌照明 > MOSFET > RJK5030DPD-00#J2

RJK5030DPD-00#J2

本文是瑞萨电子美国公司的RJK5030DPD-00#J2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Renesas Electronics America

类别：照明 >LED照明 >标牌照明 >MOSFET >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：500V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.6 欧姆 @ 2A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：550pF @ 25V
功率-最大值：41.7W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：MP-3A

PDF查看下载