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MBRA120ET3G

本文是安森美半导体公司的MBRA120ET3G的数据表，它是属于分立半导体产品单二极管/整流器。具体规格参数如下：

厂商：ON Semiconductor

类别：照明 >LED照明 >智能LED矿灯 >battery >

主要规格参数:

包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
二极管类型：肖特基
电压-DC反向（Vr）（最大值）：20V
电流-平均整流（Io）：1A
不同If时的电压-正向（Vf）：530mV @ 1A
速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：-
不同Vr时的电流-反向漏电流：10µA @ 20V
不同Vr，F时的电容：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DO-214AC，SMA
供应商器件封装：SMA
工作温度-结：-55°C ~ 150°C

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