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STB10N60M2

本文是意法半导体公司的STB10N60M2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：STMicroelectronics

类别：照明 >智能照明 >智能LED矿灯 >p_Mosfets >

主要规格参数:

包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：MDmesh™ II Plus
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7.5A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：600 毫欧 @ 3A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：13.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：400pF @ 100V
功率-最大值：85W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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