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IPD80R2K8CEBTMA1

本文是英飞凌科技公司的IPD80R2K8CEBTMA1的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Infineon Technologies

类别：照明 >智能照明 >远程控制 >CoolMOS >

主要规格参数:

包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：CoolMOS™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：800V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.9A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：2.8 欧姆 @ 1.1A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 120µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：12nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：290pF @ 100V
功率-最大值：42W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-4，DPak（3 引线 + 接片）
供应商器件封装：TO-252-3

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