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STL105NS3LLH7

本文是意法半导体公司的STL105NS3LLH7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：STMicroelectronics

类别：电机控制 >步进电机 >STripFET >

主要规格参数:

包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：DeepGATE™，STripFET™ VII
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：105A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3.9 毫欧 @ 13.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 1mA（最小）
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：13.7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2110pF @ 25V
功率-最大值：62.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat™（5x6）

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