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DMN26D0UDJ-7

本文是Diodes公司的DMN26D0UDJ-7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：

厂商：Diodes Incorporated

类别：电机控制 >开关磁阻电机 >Gate Drivers >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：240mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.05V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：14.1pF @ 15V
功率-最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-963
供应商器件封装：SOT-963

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