IPB015N04L G特性,参数,购买_IPB015N04L G元件说明书下载-中电网

中电网移动|移动中电网

数据中心
IPB015N04L G特性,参数,购买_IPB015N04L G元件说明书下载-中电网

产品索引 > 智能电源和管理 > 智能电源 > 太阳能微逆变器 > OptiMOS Medium Voltage Power MOSFETs > IPB015N04L G

IPB015N04L G

本文是英飞凌科技公司的IPB015N04L G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Infineon Technologies

类别：智能电源和管理 >智能电源 >太阳能微逆变器 >OptiMOS Medium Voltage Power MOSFETs >

主要规格参数:

包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：OptiMOS™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：120A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.5 毫欧 @ 100A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 200µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：346nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：28000pF @ 25V
功率-最大值：250W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：PG-TO263-2

PDF查看下载