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产品索引 > 智能电源和管理 > 智能电源 > 太阳能微逆变器 > OptiMOS Medium Voltage Power MOSFETs > BSB015N04NX3 G

BSB015N04NX3 G

本文是英飞凌科技公司的BSB015N04NX3 G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Infineon Technologies

类别：智能电源和管理 >智能电源 >太阳能微逆变器 >OptiMOS Medium Voltage Power MOSFETs >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：OptiMOS™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：36A（Ta），180A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.5 毫欧 @ 30A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：142nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：12000pF @ 20V
功率-最大值：89W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-WDSON
供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M™

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