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STB120N4LF6

本文是意法半导体公司的STB120N4LF6的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：STMicroelectronics

类别：智能电源和管理 >能源和智能电网 >再生能源发电和能量收集 >Power Transistors >

主要规格参数:

包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：DeepGATE™，STripFET™ VI
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：80A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4 毫欧 @ 40A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：80nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：4300pF @ 25V
功率-最大值：110W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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