NSS20500UW3TBG特性,参数,购买_NSS20500UW3TBG元件说明书下载-中电网

中电网移动|移动中电网

数据中心
NSS20500UW3TBG特性,参数,购买_NSS20500UW3TBG元件说明书下载-中电网

产品索引 > 智能电源和管理 > 能源和智能电网 > 充电器 > Battery protection > NSS20500UW3TBG

NSS20500UW3TBG

本文是安森美半导体公司的NSS20500UW3TBG的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：

厂商：ON Semiconductor

类别：智能电源和管理 >能源和智能电网 >充电器 >Battery protection >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：5A
电压-集射极击穿（最大值）：20V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：260mV @ 400mA，4A
电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：200 @ 2A，2V
功率-最大值：875mW
频率-跃迁：100MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-WDFN
供应商器件封装：3-WDFN（2x2）

PDF查看下载