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BSB014N04LX3 G

本文是英飞凌科技公司的BSB014N04LX3 G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Infineon Technologies

类别：智能电源和管理 >能源和智能电网 >消费类开关电源 >Rectification >

主要规格参数:

包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：OptiMOS™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：36A（Ta），180A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.4 毫欧 @ 30A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：196nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：16900pF @ 20V
功率-最大值：89W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-WDSON
供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M™

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