BSB012NE2LX特性,参数,购买_BSB012NE2LX元件说明书下载-中电网

中电网移动|移动中电网

数据中心
BSB012NE2LX特性,参数,购买_BSB012NE2LX元件说明书下载-中电网

产品索引 > 智能电源和管理 > 能源和智能电网 > 消费类开关电源 > Or-ing > BSB012NE2LX

BSB012NE2LX

本文是英飞凌科技公司的BSB012NE2LX的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Infineon Technologies

类别：智能电源和管理 >能源和智能电网 >消费类开关电源 >Or-ing >

主要规格参数:

包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：OptiMOS™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：25V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：37A（Ta），170A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.2 毫欧 @ 30A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：67nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：4900pF @ 12V
功率-最大值：2.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-WDSON
供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M™

PDF查看下载