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AFT09S282NR3

本文是飞思卡尔半导体的AFT09S282NR3的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：

厂商：Freescale Semiconductor

类别：互联互通 >网络与电信基础 >基站 >final stage >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：LDMOS
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：720MHz ~ 960MHz
增益：20dB
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：28V
额定电流：10µA
功率-最大值：-
噪声系数：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：1.4A
功率-输出：80W
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：70VDC
封装/外壳：OM-780-2
供应商器件封装：OM-780-2

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