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产品索引 > 互联互通 > 网络与电信基础 > 光纤接入 > NexFETs > CSD87330Q3D

CSD87330Q3D

本文是德州仪器的CSD87330Q3D的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：

厂商：Texas Instruments

类别：互联互通 >网络与电信基础 >光纤接入 >NexFETs >

主要规格参数:

包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：NexFET™
FET类型：2 个 N 通道（半桥）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：5.8nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：900pF @ 15V
功率-最大值：6W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-LDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-SON-EP（3.3x3.3）

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