IRLHM630TRPBF特性,参数,购买_IRLHM630TRPBF元件说明书下载-中电网

中电网移动|移动中电网

数据中心
IRLHM630TRPBF特性,参数,购买_IRLHM630TRPBF元件说明书下载-中电网

产品索引 > 互联互通 > 网络与电信基础 > 光纤接入 > MOSFET > IRLHM630TRPBF

IRLHM630TRPBF

本文是国际整流器公司的IRLHM630TRPBF的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：International Rectifier

类别：互联互通 >网络与电信基础 >光纤接入 >MOSFET >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：HEXFET®
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：21A（Ta），40A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3.5 毫欧 @ 20A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：62nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：3170pF @ 25V
功率-最大值：2.7W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：PQFN（3x3）

PDF查看下载