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CSD17309Q3

本文是德州仪器的CSD17309Q3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Texas Instruments

类别：互联互通 >网络与电信基础 >光纤接入 >MOSFET >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：NexFET™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A（Ta），60A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5.4 毫欧 @ 18A，8V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.7V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1440pF @ 15V
功率-最大值：2.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-SON

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