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产品索引 > 汽车电子 > 动力系统/混合动力与电动车 > 驾驶/传动管理 > OptiMOS(TM)-T2 100V > IPB70N10S3-12

IPB70N10S3-12

本文是英飞凌科技公司的IPB70N10S3-12的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Infineon Technologies

类别：汽车电子 >动力系统/混合动力与电动车 >驾驶/传动管理 >OptiMOS(TM)-T2 100V >

主要规格参数:

包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：OptiMOS™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：70A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：11.3 毫欧 @ 70A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 83µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：66nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：4355pF @ 25V
功率-最大值：125W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：PG-TO263-3

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