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NP109N04PUK-E1-AY

本文是瑞萨电子美国公司的NP109N04PUK-E1-AY的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Renesas Electronics America

类别：汽车电子 >安全与底盘 >制动系统 >Braking System Motor Driver MOSFET >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：110A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.75 毫欧 @ 55A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：189nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：10800pF @ 25V
功率-最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263（D2Pak）

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