IPD70N03S4L-04特性,参数,购买_IPD70N03S4L-04元件说明书下载-中电网

中电网移动|移动中电网

数据中心
IPD70N03S4L-04特性,参数,购买_IPD70N03S4L-04元件说明书下载-中电网

产品索引 > 汽车电子 > 安全与底盘 > 制动系统 > MOSFETs > IPD70N03S4L-04

IPD70N03S4L-04

本文是英飞凌科技公司的IPD70N03S4L-04的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Infineon Technologies

类别：汽车电子 >安全与底盘 >制动系统 >MOSFETs >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：OptiMOS™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：70A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4.3 毫欧 @ 70A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 30µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：48nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：3300pF @ 25V
功率-最大值：68W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3

PDF查看下载