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BSC093N04LS G

本文是英飞凌科技公司的BSC093N04LS G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Infineon Technologies

类别：汽车电子 >安全与底盘 >制动系统 >MOSFET - Power >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：OptiMOS™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：13A（Ta），49A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：9.3 毫欧 @ 40A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 14µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：24nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1900pF @ 20V
功率-最大值：35W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）

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