NVTFS4C06NTAG特性,参数,购买_NVTFS4C06NTAG元件说明书下载-中电网

中电网移动|移动中电网

数据中心
NVTFS4C06NTAG特性,参数,购买_NVTFS4C06NTAG元件说明书下载-中电网

产品索引 > 汽车电子 > 安全与底盘 > 制动系统 > High-end drive > NVTFS4C06NTAG

NVTFS4C06NTAG

本文是安森美半导体公司的NVTFS4C06NTAG的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：ON Semiconductor

类别：汽车电子 >安全与底盘 >制动系统 >High-end drive >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：21A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4.2 毫欧 @ 30A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：26nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1683pF @ 15V
功率-最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerWDFN
供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）

PDF查看下载